特許

J-GLOBAL ID：201103096683965902

光電変換半導体装置およびその製造方法

発明者： 嶋崎 豊幸 ,  志水 雄三 ,  大澤 勝市 ,  茶藤 哲夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-125746
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324898
特許番号：特許第3768829号
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成されて不純物濃度が前記半導体基板より低濃度に調整された真性半導体層と、前記真性半導体層上に形成されて一部の領域が前記半導体基板および前記真性半導体層との積層構造によってフォトダイオードを構成する第2導電型の半導体層と、前記第2導電型の半導体層における残りの領域に形成されたトランジスタと、前記トランジスタの形成領域の下層であって、前記半導体基板と前記真性半導体層の両方あるいは前記真性半導体層のみに形成された絶縁体層とを備えた光電変換半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 27/14 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8222 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/331 ( 200 6.01) ,  H01L 29/732 ( 200 6.01) ,  H01L 21/76 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 27/14 Z ,  H01L 27/06 101 Z ,  H01L 29/72 P ,  H01L 21/76 R ,  H01L 27/08 102 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• BiCMOS内蔵受光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-239282   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-021654   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-098727   出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
• 半導体基板とその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-183326   出願人：キヤノン株式会社