特許
J-GLOBAL ID：201103096796218810

膜の処理方法

発明者：
大西 廉伸

大西 廉伸 について

, 
奥村 勝弥

奥村 勝弥 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-027524
公開番号（公開出願番号）：特開2000-221699
特許番号：特許第3949841号
出願日： 1999年02月04日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に形成された、有機物又は有機物とカーボンとの混合物からなる被処理膜に対し、還元性雰囲気下で加熱処理を施すと共に電子線を照射し、該膜の炭化反応を促進させることを特徴とする膜の処理方法。
IPC (2件)：
G03F 7/40 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)
FI (2件)：
G03F 7/40 501 ,  H01L 21/30 563
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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