特許
J-GLOBAL ID：201103096900809787
半導体薄膜の結晶性評価方法及び結晶性評価装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
小谷 悦司
, 小谷 昌崇
, 村松 敏郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-219403
公開番号（公開出願番号）：特開2011-069661
出願日： 2009年09月24日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：
【課題】半導体薄膜の膜厚の変動に関わらず、精度良く半導体薄膜の結晶性を評価することができる結晶性評価方法及び結晶性評価装置を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、半導体薄膜12にキャリアを励起させるための励起光を照射すると共にこの励起光が照射された範囲を含む半導体薄膜12の範囲にマイクロ波を照射して半導体薄膜12からのマイクロ波の反射波の強度を測定し、データ収集用半導体薄膜の膜厚とこのデータ収集用半導体薄膜に前記マイクロ波を照射したときの反射波の強度の値との関係を収集し、この収集した膜厚と反射波の強度の値との関係と、半導体薄膜12から得られた励起光及びマイクロ波が照射された範囲の膜厚の値R3aとに基づいて前記得られた測定値R2を補正し、この補正された測定値R2aに基づいて半導体薄膜12の結晶性を評価することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基材上に成膜された半導体薄膜の結晶性を評価する方法であって、
前記半導体薄膜にキャリアを励起させるための励起光を照射すると共に、この励起光が照射された範囲を含む前記半導体薄膜の範囲にマイクロ波を照射する第1の照射工程と、
前記半導体薄膜からの前記マイクロ波の反射波の強度を測定する第1の測定工程と、
データ収集用半導体薄膜の膜厚とこのデータ収集用半導体薄膜に前記マイクロ波を照射したときの反射波の強度の値との関係を収集するデータ収集工程と、
前記第1の照射工程で励起光及びマイクロ波が照射される前記半導体薄膜の範囲に、少なくとも前記励起光が照射されていないときに測定光を照射する第2の照射工程と、
前記第2の照射工程で照射された測定光の前記半導体薄膜からの反射光を測定する第2の測定工程と、
前記第2の測定工程で測定された反射光の強度の測定値に基づいて前記励起光及び前記マイクロ波が照射される範囲の半導体薄膜の膜厚を導出する導出工程と、
前記データ収集工程で収集された膜厚と反射波の強度との関係と、前記導出工程で導出された膜厚の値とに基づいて前記第1の測定工程で得られた測定値を補正する補正工程と、
この補正工程で補正された測定値に基づいて前記半導体薄膜の結晶性を評価する評価工程とを備えることを特徴とする半導体薄膜の結晶性評価方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G01N22/00 S
, G01N22/00 U
, H01L21/66 N
4M106AA10
, 4M106BA05
, 4M106BA09
, 4M106CA48
, 4M106CB19
, 4M106DH32
, 4M106DH35
, 4M106DJ17
, 4M106DJ20
