近接場光プローブ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：樺山亨 , 本多章悟
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-151923
公開番号（公開出願番号）：特開2000-222765
特許番号：特許第3642984号
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくとも、第一導電型の高濃度不純物層と、第一導電型の低濃度不純物層及び第二導電型の不純物導入領域からなる半導体光検出器に、微小開口を有する貫通孔を設けた構造とし、上記半導体光検出器内に近接場光発生用の微小開口が組み合わされた構成となっていることを特徴とする近接場光プローブ。

IPC (2件)：