特許

J-GLOBAL ID：201103097166447949

基板処理装置及び基板処理方法

発明者： 境 宏之
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (2件)： 井上 俊夫 ,  水野 洋美
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-297279
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100621
特許番号：特許第4194262号
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1の処理部に設けられ、基板上に塗布液を塗布する塗布処理部と、 前記第1の処理部に隣接する第2の処理部に設けられ、前記塗布処理部にて塗布液が塗布された基板を加熱するための加熱部と、 前記第2の処理部に設けられ、前記加熱部にて加熱された基板を載置するための基板載置部と、 前記第2の処理部に設けられ、前記加熱部と基板載置部との間で基板を搬送するための基板搬送手段と、を備え、 前記加熱部は前記塗布処理部にて塗布液が塗布された基板に対して第1の加熱処理を第1の時間で行うための第1の加熱部と、前記第1の加熱処理が行われた基板に対して第2の加熱処理を第1の時間よりも長い第2の時間で行うための第2の加熱部と、を含み、 前記第1の加熱部にて第1の加熱処理が行われた基板を基板搬送手段にて基板載置部に搬送し、この基板載置部の基板を基板搬送手段にて第2の加熱部に搬送するように構成されたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  B05C 9/14 ( 200 6.01) ,  B05D 3/02 ( 200 6.01) ,  G03F 7/16 ( 200 6.01) ,  H01L 21/677 ( 200 6.01) ,  H01L 21/673 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 21/30 562 ,  H01L 21/30 567 ,  B05C 9/14 ,  B05D 3/02 Z ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/68 T

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-326509
  
• 処理装置及び処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-148571   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
• 薄膜成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-336554   出願人：ソニー株式会社
• 塗布膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-312971   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-350135   出願人：東京エレクトロン株式会社