特許
J-GLOBAL ID:201103097229711757
半導体成膜装置の洗浄方法及び洗浄装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (20件):
蔵田 昌俊
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 勝村 紘
, 風間 鉄也
, 河井 将次
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
, 市原 卓三
, 山下 元
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-285334
公開番号(公開出願番号):特開2001-107244
特許番号:特許第4615649号
出願日: 1999年10月06日
公開日(公表日): 2001年04月17日
請求項(抜粋):
【請求項1】シャワープレート、カソード、及び防着板からなる群から選ばれた少なくとも1種である、プラズマCVD半導体製膜装置の製膜室の内部の取り外し可能な部品に付着した半導体、及び半導体が製膜される矩形平板状基板が取付けられるべき、プラズマCVD半導体製膜装置のアノードとして機能するトレイに付着した半導体を除去する洗浄方法であって、
前記製膜室から取り外された部品を前記トレイとともに治具に保持する工程、
前記部品及びトレイを治具とともに、3〜10重量%の苛性ソーダを含む、80°Cを越えない温度に加熱された、アルカリ系のエッチング剤に浸漬する工程、
前記治具に保持された部品及びトレイを水系の洗浄剤で洗浄する工程、及び
前記洗浄された部品及びトレイを乾燥する工程
を具備し、前記部品及びトレイは、ステンレススチール、カーボン、及びセラミックコートされた金属からなる群から選ばれた1種である耐アルカリ性の材質からなる、半導体製膜装置の洗浄方法。
IPC (4件):
C23C 16/44 ( 200 6.01)
, B08B 3/08 ( 200 6.01)
, H01L 21/306 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
FI (4件):
C23C 16/44 J
, B08B 3/08 A
, H01L 21/306 Z
, H01L 21/31 C
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開平1-307763
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特開平1-307763
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薄膜形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-014557
出願人:三洋電機株式会社
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気相反応装置および気相反応方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-239145
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所, トッキ株式会社
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クリーン洗浄装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-235043
出願人:富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
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