特許

J-GLOBAL ID：201103097483109919

半導体装置の製造方法

発明者： 太田 裕之 ,  熊谷 幸博 ,  安藤 敏夫 ,  佐藤 英紀 ,  清水 昭博
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (2件)： 筒井 大和 ,  作田 康夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-379786
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176174
特許番号：特許第4441109号
出願日： 2000年12月08日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 シリコン基板上にゲート酸化膜を形成する工程と、その上にゲート電極膜を形成する工程と、ゲート電極のパターンを形成する工程と、前記ゲート電極膜の側面に前記サイドウォール膜を形成する工程と、前記シリコン基板にソースおよびドレインを形成する工程とを有することにより、pチャネル型電界効果トランジスタを形成する工程と、 前記pチャネル型電界効果トランジスタを形成した後、さらに、前記ゲート電極膜と前記サイドウォール膜を内包するように窒化シリコン膜を堆積させる工程と、前記窒化シリコン膜を貫通して前記ソースあるいは前記ドレインに達するコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホール上に配線を形成する工程とを有し、前記ゲート電極膜のゲート幅の最小線幅が0.25μm以下である半導体装置の製造方法において、 前記窒化シリコン膜は熱CVD装置を用いて、前記熱CVD装置のチャンバの内壁温度を30°C以下にして堆積させることで、室温において850MPa以下の引張り応力を持つことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  H01L 21/318 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/78 301 N ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/08 321 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-232191   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-011913   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-012221   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-153786   出願人：日本電気株式会社