結晶成長方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 青山正和 , 村山靖彦 , 吉田正二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-292453
公開番号（公開出願番号）：特開2002-104899
特許番号：特許第3678129号
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】チョクラルスキー法によって原料融液から育成される単結晶を包囲するように設けられた環状の冷却体を具備する引上げ炉を用いて結晶成長を行う際に、前記単結晶の直径の0.1〜1.5倍の範囲の高さをもつ冷却体を用い、且つ、前記冷却体の厚みを10〜50mmとし、前記冷却体に供給する冷却水の流量を1.5〜30L/分とすることで、前記単結晶の外周面に対向する前記冷却体の内周面の表面温度を500°C以下として、前記単結晶の1300°C以上の部分を冷却し、引き上げ速度を2〜2.5mm/minとすることを特徴とする結晶成長方法。

IPC (3件)：