特許
J-GLOBAL ID：201103097684044297
炭化珪素単結晶製造用坩堝及び炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 鳥野 正司
, 佐々木 一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-164404
公開番号（公開出願番号）：特開2011-020860
出願日： 2009年07月13日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：
【課題】転位欠陥の発生の少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための坩堝及び製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素原料4を収容する坩堝容器部1と炭化珪素種結晶5が取り付けられる坩堝蓋部2とを有し、前記坩堝蓋部2には、坩堝1の内部と外部との間を貫通すると共に、結晶成長時には前記種結晶5が吸着して閉塞される貫通孔3が形成されている、改良型レーリー法による炭化珪素単結晶製造用坩堝1であって結晶成長が始まる前、貫通孔3等を通じてガス交換により、結晶成長空間8と坩堝外部との間に圧力差を生じないため、坩堝蓋部2に吸着・支持されずに隙間Dが維持された状態にあった種結晶5は、結晶成長時には、坩堝外部の圧力を坩堝内部8の圧力に対して低くなるように制御することで坩堝蓋部2に吸着される。その結果、熱膨張差に起因した応力や歪の無い状態で種結晶5を坩堝蓋部2の内側部分に支持することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
炭化珪素原料を収容する坩堝容器部と炭化珪素種結晶が取り付けられる坩堝蓋部とを有し、前記坩堝容器内の炭化珪素原料を昇華させて前記坩堝蓋に取り付けられた種結晶上に炭化珪素の昇華ガスを供給し、この種結晶上で炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶製造用坩堝であって、前記坩堝蓋部には、坩堝の内部と外部との間を貫通すると共に、結晶成長時には前記種結晶が吸着して閉塞される貫通孔が形成されていることを特徴とする炭化珪素単結晶製造用坩堝。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077EG11
, 4G077EG25
, 4G077HA05
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA12
