半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-239474
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119671
出願日： 2010年10月26日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：

【課題】待機電力の低減を実現する半導体装置の提供を、目的の一とする。【解決手段】酸化物半導体を活性層として有するトランジスタをスイッチング素子として用い、該スイッチング素子で、集積回路を構成する回路への電源電圧の供給を制御する。具体的には、回路が動作状態のときに上記スイッチング素子により、当該回路への電源電圧の供給を行い、回路が停止状態のときに上記スイッチング素子により、当該回路への電源電圧の供給を停止する。また、電源電圧が供給される回路は、半導体を用いて形成されるトランジスタ、ダイオード、容量素子、抵抗素子、インダクタンスなどの、集積回路を構成する最小単位の半導体素子を、単数または複数有する。そして、上記半導体素子が有する半導体は、結晶性を有するシリコン(結晶性シリコン)、具体的には、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1のトランジスタを有する回路と、前記回路への電源電圧の供給を制御する第2のトランジスタとを有し、前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、結晶性を有するシリコンを含んでおり、前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を含んでいる半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 27/08 , H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 27/092

FI (10件)：

H01L27/08 102B , H01L29/78 618B , H01L29/78 613Z , H01L29/78 627D , H01L27/08 331E , H01L27/12 B , H01L27/08 321C , H01L27/08 102A , H01L27/08 102E , H01L27/08 321G

Fターム (127件)：

5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BA20 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BB15 , 5F048BC06 , 5F048BC15 , 5F048BC18 , 5F048BD04 , 5F048BD09 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG06 , 5F048CB01 , 5F048CB03 , 5F048CB04 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F110AA04 , 5F110AA06 , 5F110AA09 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110BB11 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE30 , 5F110EE32 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF25 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG24 , 5F110GG26 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK40 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ17 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-038644 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-311892 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-149757 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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