特許
J-GLOBAL ID：201103099092104796
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-070422
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269330
特許番号：特許第3545250号
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板上に形成した導電層の上に、組成が有機成分からなる第1絶縁膜を形成する第1工程と、前記第1絶縁膜の上に第1の膜を形成する第2工程と、前記第1の膜の上に第1マスクパターンを形成する第3工程と、前記第1マスクパターンをマスクとして、前記第1の膜をパターニングする第4工程と、前記第1マスクパターンを除去する第5工程と、前記パターニングされた第1の膜をマスクとして、前記第1絶縁膜をエッチングして前記導電層を露出させる第6工程と、を含み、前記第1工程終了後から前記第5工程の開始前までの間に、前記第1絶縁膜の少なくとも表面を改質して、前記第5工程による前記第1マスクパターンの除去処理に対する保護層を形成する第7工程を行うことを特徴とした半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/768
, H01L 21/265
, H01L 21/3065
, H01L 21/316
, H01L 21/318
H01L 21/90 J
, H01L 21/316 G
, H01L 21/318 B
, H01L 21/265 Y
, H01L 21/302 104 H
