特許

J-GLOBAL ID：201103099780253789

CVD窒化酸化シリコン層の後処理を備えるSiON/TEOS層間誘電体を形成するためのプロセス

発明者： サン,スィ-ピン ,  ガードナー,マーク・アイ ,  ンゴウ,ミン・バン
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  伊藤 英彦 ,  堀井 豊 ,  森下 八郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-584523
特許番号：特許第4456276号
出願日： 1999年06月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 層間誘電体を形成するための方法であって、 半導体トポグラフィの上に窒化酸化シリコン層を形成するステップと、 前記窒化酸化シリコン層のベークを行なうステップと、 前記窒化酸化シリコン層の上に直接酸化物層を形成し、それによって層間誘電体を形成するステップとを含み、前記酸化物層の形成は、前記ベークを行なうステップの後に続く、方法。

IPC (6件)：

H01L 21/318 ( 200 6.01) ,  C23C 16/30 ( 200 6.01) ,  C23C 16/56 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/522 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 21/318 M ,  H01L 21/318 C ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/56 ,  H01L 29/78 301 N ,  H01L 21/90 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-236894   出願人：富士通株式会社
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-196397   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-016502   出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
• 成膜・熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-328284   出願人：東京エレクトロン株式会社