半導体集積回路装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-196397
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045914
出願日： 1995年08月01日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路装置に塔載される電界効果トランジスタのホットキャリアに起因する経時的なしきい値電圧(Vth)の変動を抑えると共に、水素イオンや水酸イオン等に起因する経時的なしきい値電圧(Vth)の変動を抑える。前記電界効果トランジスタの電流利得を高める。【構成】半導体基板1の表面上にゲート絶縁膜3を介在してゲート電極5が形成された電界効果トランジスタを有する半導体集積回路装置において、前記半導体基板1と前記ゲート絶縁膜3との間に窒化絶縁膜4を設けると共に、前記ゲート絶縁膜3の側壁面上に窒化絶縁膜7を設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上にゲート絶縁膜を介在してゲート電極が形成された電界効果トランジスタを有する半導体集積回路装置において、前記半導体基板と前記ゲート絶縁膜との間に窒化絶縁膜を設けると共に、前記ゲート絶縁膜の側壁面上に窒化絶縁膜を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (7件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/318 , H01L 21/336 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/28 301 S , H01L 21/318 M , H01L 29/78 301 L , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平1-134936
MOS型トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-194118 出願人：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-109212 出願人：三菱電機株式会社

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