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J-GLOBAL ID:201202110213276830   整理番号:12A1455541

(411)A InP基板上にMBE成長した両サイドSi変調ドープIn0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As歪量子井戸のホトルミネッセンス

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資料名:
巻: 62nd  号:ページ: 224  発行年: 2001年09月11日 
JST資料番号: Y0055A  資料種別: 会議録 (C)
発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)

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