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J-GLOBAL ID：201202139159776595   整理番号：12A1355917

(411)A InP基板上に作製した50nmゲート歪InGaAs/InAlAs HEMTのDCおよびRFデバイス特性

著者 (11件)： 東脇正高 (大阪大 大学院) ,  東脇正高 (通信総合研) ,  北田貴弘 (大阪大 大学院) ,  青木豊広 (大阪大 大学院) ,  下村哲 (大阪大 大学院) ,  山下良美 (富士通) ,  遠藤聡 (富士通) ,  彦坂康己 (富士通) ,  三村高志 (富士通) ,  松井敏明 (通信総合研) ,  冷水佐壽 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 61st  号： 3  ページ： 1185  発行年： 2000年09月03日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (10件)： InP ,  作製 ,  ゲート ,  歪 ,  InGaAs ,  InAlAs ,  HEMT ,  DC ,  RF ,  デバイス特性