文献
J-GLOBAL ID：201202179015541862
整理番号：12A1400407
(411)A GaAs基板上にMBE成長したSi変調ドープN-Al0.23Ga0.77As/In0.1Ga0.9As/GaAs歪量子井戸構造の2次元電子ガス移動度~スペーサー膜厚依存性~
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著者 (6件)：
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資料名：
巻：
48th
号：
3
ページ：
1349
発行年：
2001年03月28日
JST資料番号：
Y0054A
資料種別：
会議録 (C)
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
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