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J-GLOBAL ID：201202179411274664   整理番号：12A1456851

(411)A GaAs基板上にMBE成長したN-AlGaAs/GaAs QWの磁気ホトルミネッセンス(6)生の散乱ポテンシャルと界面ラフネス散乱

著者 (5件)： 下村哲 (大阪大 院) ,  坂直樹 (大阪大 院) ,  堀田高史 (大阪大 院) ,  北田貴弘 (大阪大 院) ,  冷水佐壽 (大阪大 院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 62nd  号： 3  ページ： 1036  発行年： 2001年09月11日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (9件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  AlGaAs ,  GaAs ,  磁気 ,  ホトルミネッセンス ,  散乱ポテンシャル ,  面ラフネス ,  散乱