~100%硝酸蒸気で形成された低漏れ電流密度をもつ超薄SiO<sub>2</sub>層

KIM Woo-Byoung; MATSUMOTO Taketoshi; KOBAYASHI Hikaru

文献

J-GLOBAL ID：201202203282037233 整理番号：12A0315883

~100%硝酸蒸気で形成された低漏れ電流密度をもつ超薄SiO₂層

Ultrathin SiO₂ layer with a low leakage current density formed with ~100% nitric acid vapor

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巻： 21 号： 11 ページ： 115202.1-115202.7 発行年： 2010年03月19日
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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~100%硝酸蒸気で形成された低漏れ電流密度をもつ超薄SiO2層

~100%硝酸蒸気で形成された低漏れ電流密度をもつ超薄SiO₂層