文献

J-GLOBAL ID：201202204014034660   整理番号：12A0339982

リソグラフィー的解像度の化学テンプレート上におけるPOSS含有ブロック共重合体の溶媒蒸気で形状制御された配向自己集合

Directed Self-Assembly of POSS Containing Block Copolymer on Lithographically Defined Chemical Template with Morphology Control by Solvent Vapor

著者 (11件)： TADA Yasuhiko (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TADA Yasuhiko (Hitachi Ltd., Ibaraki, JPN) ,  YOSHIDA Hiroshi (Hitachi Ltd., Ibaraki, JPN) ,  ISHIDA Yoshihit (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  HIRAI Tomoyasu (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  BOSWORTH Joan K. (Hitachi Global Storage Technol., California, USA) ,  DOBISZ Elizabeth (Hitachi Global Storage Technol., California, USA) ,  RUIZ Ricardo (Hitachi Global Storage Technol., California, USA) ,  TAKENAKA Mikihito (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HAYAKAWA Teruaki (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA Hirokazu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Macromolecules  (Macromolecules)
巻： 45  号： 1  ページ： 292-304  発行年： 2012年01月10日 
JST資料番号： B0952A  ISSN： 0024-9297  CODEN： MAMOBX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強く凝集したブロック共重合体は10nmスケールのリソグラフィーパターンの形成手段として注目されている。五種類のPMMA-b-PMAPOSSジブロック共重合体と,ホモポリマーPMAPOSSをリビングアニオン重合で調製した。上記樹脂をグラフト化したSi基板上に,電子線リソグラフィー法で化学的テンプレートを形成させ,次いで,上記基板上にスピンコーティングでPMMA-b-PMAPOSSフィルムを形成させた。本フィルムをCS₂蒸気で溶媒アニーリングし,ナノパターン化された構造体を形成した。蒸気アニーリング条件の最適化で,最高4テラドット/in²のナノパターンを得た。

シソーラス用語： オリゴマ ,  *ポリシルセスキオキサン ,  *高分子有機-無機ハイブリッド ,  形状制御 ,  ジブロック共重合体 ,  *自己集合 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  *超分子 ,  電子ビームリソグラフィー ,  ナノ構造 ,  パターン形成
準シソーラス用語： PMMA ,  POSS【オリゴマ】 ,  ナノパターン形成 ,  電子線リソグラフィー

分類 (3件)： 高分子材料一般  (YH07010B) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  分子化合物  (CE02000C)

タイトルに関連する用語 (10件)： リソグラフィー ,  解像度 ,  化学 ,  テンプレート ,  POSS ,  ブロック共重合体 ,  溶媒蒸気 ,  形状制御 ,  配向 ,  自己集合