文献

J-GLOBAL ID：201202204842669474   整理番号：12A1767960

容量結合プラズマ蒸着において負イオン衝撃によって起きた多結晶酸化物膜の異常な成長

Unusual growth of polycrystalline oxide film induced by negative ion bombardment in the capacitively coupled plasma deposition

著者 (3件)： TAKAYANAGI S. (Graduate School of Sci. and Engineering, Doshisha Univ., Kyotanabe, Kyoto 610-0321, JPN) ,  YANAGITANI T. (Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Nagoya 466-8555, JPN) ,  MATSUKAWA M. (Graduate School of Sci. and Engineering, Doshisha Univ., Kyotanabe, Kyoto 610-0321, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 23  ページ： 232902-232902-3  発行年： 2012年12月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶膜は通常,基板面と平行なその最も稠密充填する面が成長する。分離したイオン源を使わずに,マグネトロン容量結合プラズマ蒸着において発生する高エネルギー負イオンを使うと異常な結晶成長が起こることを実証した。負イオンのエネルギーと基板に入射するフラックスは定量的に測定し,ZnO膜の異常な(1120)方向の優先的な結晶成長と比較した。大量の170-250eVの高エネルギー負イオンが0.1Paの低いガス圧で観測される陰極領域で強い(1120)方位を見いだした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： プラズマ ,  *プラズマCVD ,  アニオン ,  多結晶 ,  *イオン照射 ,  *薄膜成長 ,  *酸化亜鉛 ,  優先配向 ,  結晶方位 ,  マグネトロン ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： プラズマ蒸着 ,  酸化物半導体 ,  容量結合プラズマ

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 容量結合プラズマ ,  蒸着 ,  イオン衝撃 ,  多結晶 ,  酸化物膜 ,  成長