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J-GLOBAL ID：201202205830196984   整理番号：12A0630291

ナノ秒ゲートモード駆動シリコンアバランシェフォトダイオードとそのCeドープしたYAGセラミクスの蛍光寿命の測定への応用

A nanosecond gate-mode-driven silicon avalanche photodiode and its application to measuring fluorescence lifetimes of Ce-doped YAG ceramics

著者 (4件)： MIYATA Tsuyoshi (Kochi National Coll. of Technol., Kochi, JPN) ,  IWATA Tetsuo (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  NAKAYAMA Susumu (Niihama National Coll. of Technol., Ehime, JPN) ,  ARAKI Tsutomu (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Measurement Science and Technology  (Measurement Science and Technology)
巻： 23  号： 3  ページ： 035501,1-7  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： C0354C  ISSN： 0957-0233  CODEN： MSTCEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ナノ秒 ,  ゲート【半導体】 ,  モード ,  ケイ素 ,  *アバランシェフォトダイオード ,  セリウム ,  ドーピング ,  イットリウムアルミニウムガーネット ,  セラミック ,  *蛍光寿命 ,  *計測 ,  積分器 ,  SN比 ,  信号標本化 ,  光検出器 ,  濃度
準シソーラス用語： シリコン ,  測定

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノ秒 ,  ゲート ,  Ce ,  ドープ ,  YAG ,  セラミクス ,  蛍光寿命 ,  応用