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J-GLOBAL ID：201202208316941467   整理番号：12A0706152

取り出し強化横方向絶縁ゲートバイポーラトランジスタ:横方向2重拡散金属酸化物半導体電界効果トランジスタより優れた超高速横方向絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

Extraction Enhanced Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor: A Super High Speed Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor Superior to Lateral Dobule Difused Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor

著者 (5件)： ASHIDA Youichi (DENSO Co., Ltd., Aichi, JPN) ,  TAKAHASHI Shigeki (DENSO Co., Ltd., Aichi, JPN) ,  SHIRAKI Satoshi (DENSO Co., Ltd., Aichi, JPN) ,  TOKURA Norihito (DENSO Co., Ltd., Aichi, JPN) ,  NAKAGAWA Akio (Nakagawa Consulting Office, Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 4,Issue 2  ページ： 04DP02.1-04DP02.5  発行年： 2012年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来のシリコンオンインシュレータ(SOI)ウェハで革新的な取り出し強化横方向絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(E²LIGBTs)を成功裏に開発できた。それは738Vの高破壊電圧を有し,84A/cm²で34nsのターンオフ時間の超高速スイッチングと3.7Vの低オン状態電圧を同時に示す。これはその優れたスイッチング速度とオン抵抗を従来の横方向2重拡散金族酸化物半導体電界効果トランジスタ(LDMOS)と比較して示した最初の報告である。優れた性能を提案したE²コンセプトによって設計した新しいアノード構造によって達成する。それは寿命の制御無しにアノード領域で,強化した電子取出しと正孔注入の抑制を同時に達成できる。E²コンセプトはnバッファー上の軽くドープしたp層上の狭いp⁺インジェクターと広いSchottkyコンタクトからなるアノード構造を使用して実現できる。スイッチング速度をインジェクション領域とSchottky領域の面積比によって制御できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *バイポーラトランジスタ ,  *IGBT ,  横方向 ,  *MOSFET ,  電圧 ,  *高速度 ,  *スイッチング ,  状態 ,  オン抵抗 ,  アノード ,  キャリア注入 ,  インゼクタ ,  *半導体金属接合 ,  *キャリア ,  半導体素子 ,  SOI構造
準シソーラス用語： LDMOS ,  Schottky接合 ,  オン状態 ,  正孔注入 ,  *電子取り出し ,  破壊電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (19件)：

• 1) S. Kaneko, H. Yamagiwa, T. Saji, T. Uno, and K. Sawada: Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, 2007, p. 17.
• 2) A. Nakagawa, H. Funaki, Y. Yamaguchi, and F. Suzuki: Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, 1999, p. 321.
• 3) H. Funaki, T. Matsudai, A. Nakagawa, N. Yasuhara, and Y. Yamaguchi:Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, 1997, p. 33.
• 4) J. K. O. Sin, C. A. T. Salama, and L. Hou: IEEE Trans. Electron Devices 36 (1989) 993.
• 5) T. Trajkovic, F. Udrea, C. Lee, N. Udugampola, V. Pathirana, A. Mihaila, and G. A. J. Amaratunga: Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, 2008, p. 327.

タイトルに関連する用語 (6件)： 強化 ,  横方向 ,  絶縁ゲートバイポーラトランジスタ ,  2重拡散 ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果トランジスタ