リモートプラズマ原子層堆積によって室温で堆積したAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜への無線周波数プラズマパワーの影響

LEE Jaesang; KIM Hyungchul; KIM Hyungchul; PARK Taeyong; KO Youngbin; JEON Heeyoung; PARK Jingyu; RYU Jaehun; RYU Jaehun; JEON Hyeongtag

文献

J-GLOBAL ID：201202209523891700 整理番号：12A1258055

リモートプラズマ原子層堆積によって室温で堆積したAl₂O₃膜への無線周波数プラズマパワーの影響

The Effects of Radio Frequency Plasma Power on Al₂O₃ Films Deposited at Room-Temperature by Remote Plasma Atomic Layer Deposition

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資料名：
巻： 12 号： 7 ページ： 5494-5499 発行年： 2012年07月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Al(CH₃)₃とO₂プラズマの交互曝露を用いる炉において,リモートプラズマ原子層堆積(RPALD)法によりAl₂O₃膜を室温(25°C)堆積した。Al₂O₃膜の界面とバルク特性に及ぼすRFパワーの影響を調べた。Al₂O₃膜をSiおよびSiO₂基板上に種々のRFパワーでのRPALDにより堆積した。高RFパワーで堆積したAl₂O₃膜では,膜とSi基板との界面特性が改善されることが分かった。

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酸化物薄膜

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リモートプラズマ原子層堆積によって室温で堆積したAl2O3膜への無線周波数プラズマパワーの影響

リモートプラズマ原子層堆積によって室温で堆積したAl₂O₃膜への無線周波数プラズマパワーの影響