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J-GLOBAL ID：201202211116777590   整理番号：12A0962630

150°C大気圧におけるCu,SiO₂,及びポリイミドの同種及び異種の結合のための蒸気援助表面活性化法

Vapor-Assisted Surface Activation Method for Homo- and Heterogeneous Bonding of Cu, SiO₂, and Polyimide at 150°C and Atmospheric Pressure

著者 (2件)： SHIGETOU Akitsu (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1, Namiki, 305-0044, Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SUGA Tadatomo (The Univ. of Tokyo, 7-3-1, Hongo, Bunkyo, 113-0033, Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 41  号： 8  ページ： 2274-2280  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 150°C及び単体蒸気援助表面活性化法を用いることによる,大気圧におけるCu,SiO₂,及びポリイミドの同種及び異種の結合は,かなり可能性があり,薄い,平面の相互接合層の三次元異種統合への実用が可能であろう。バンプレス構造を維持するために単一工程で様々な材料への良好な接合性を成就することが必要であるので,相性の良い橋渡し層を造る必要がある。銅の水酸化水和物とシラノールとSiO₂から形成される水酸基グループとポリイミドをベースとする橋渡し層を,大気圧で活性化した表面に水を導入することで調合した。橋渡し層の成長速度は絶対湿度を通して調節可能で,8g/m³の露出で行った。湿気への露出後,150°Cに加熱し,合わせ面間のしっかりした接合が,気泡のないアモルファス界面(橋渡し)層を有する出発物質の全ての組み合わせに対して行われた。層の厚さを良く制御すると,~4×10^-8Ωmの低い電気抵抗がCu-Cu界面で得られた。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *銅 ,  *二酸化ケイ素 ,  *ポリイミド ,  結合 ,  活性化 ,  *架橋【高分子】 ,  水酸化物 ,  水和物 ,  シラノール ,  成長速度 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： *橋架け ,  *大気圧 ,  *表面活性化

分類 (2件)： その他の接合  (BM03088W) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 大気圧 ,  Cu ,  SiO2 ,  ポリイミド ,  蒸気 ,  援助 ,  表面活性化