垂直非接合型シリコンナノワイヤー電界効果トランジスタの基板関連のコンポーネントに関する抽出方法と無線周波数の特性におけるその検証

SHIN Sunhae; KANG In Man; KIM Kyung Rok

文献

J-GLOBAL ID：201202211311098797 整理番号：12A0960581

垂直非接合型シリコンナノワイヤー電界効果トランジスタの基板関連のコンポーネントに関する抽出方法と無線周波数の特性におけるその検証

Extraction Method for Substrate-Related Components of Vertical Junctionless Silicon Nanowire Field-Effect Transistors and Its Verification on Radio Frequency Characteristics

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著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 51 号： 6,Issue 2 ページ： 06FE20.1-06FE20.7 発行年： 2012年06月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本論文では,著者は,3次元(3D)デバイスシミュレーションを使用することで垂直非接合型シリコン・ナノワイヤー(VJL SNW)電界効果トランジスタ(FETs)のための無線周波数(RF)モデルとパラメタ抽出方法を提案します。著者は,基板抵抗(R_sub)やドレイン/基板間のキャパシタンス(C_sub)などの基板関連のコンポーネントを導入して,f_tやf_maxやゲート入力容量や輸送時間遅れなどのRF性能を評価します。準静的(QS)RFモデルは,3Dデバイスシミュレーションで計算されたYパラメタから抽出されたRFパラメタを用いてVJL SNW FETsをシミュレートするのに,スパイス(SPICE)回路計算機を用いたシミュレーションプログラムにおいて使用された。著者は,最大100GHzまでYパラメタとS₂₂パラメタを用いたHSPICEと3Dデバイスシミュレーション間におけるよく合致した結果によってRFモデルの正当性を確認した。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (31件)：

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