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J-GLOBAL ID：201202211380808615   整理番号：12A0029793

カチオン移動ベースの酸化物抵抗メモリの形成及びスイッチングメカニズム

Forming and switching mechanisms of a cation-migration-based oxide resistive memory
著者 (6件)：
TSURUOKA T

TSURUOKA T について

(MANA, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)

MANA, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN について

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TSURUOKA T

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(CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Tokyo, JPN)

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TERABE K

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(MANA, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)

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HASEGAWA T

HASEGAWA T について

(MANA, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)

MANA, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN について

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HASEGAWA T

HASEGAWA T について

(CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Tokyo, JPN)

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AONO M

AONO M について

(MANA, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)

MANA, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN について


資料名：
Nanotechnology  (Nanotechnology)

Nanotechnology について


巻： 21  号： 42  ページ： 425205.1-425205.8  発行年： 2010年10月22日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
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酸化物

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抵抗メモリ

抵抗メモリ について

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スイッチング

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メカニズム

メカニズム について


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