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J-GLOBAL ID:201202211395593968   整理番号:12A0121638

SF6系プラズマ中の低温プラズマ増強原子層蒸着により成長させた窒化アルミニウムマスク層のプラズマエッチ特性

Plasma etch characteristics of aluminum nitride mask layers grown by low-temperature plasma enhanced atomic layer deposition in SF6 based plasmas
著者 (7件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: 011504  発行年: 2012年01月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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低温,200°Cのプラズマ増強原子層蒸着(PEALD)により蒸着した窒化アルミニウム(AlN)のプラズマエッチ特性を,反応性イオンエッチ(RIE)及び誘導結合プラズマ反応性イオンエッチ(ICP-RIE)システムに対して,様々なエッチ条件下,SF6とO2の様々な混合体を使って調べた。RIE中,膜は10rnm/分以下のエッチ速度の良好なマスク特性を見せた。ICP-RIEプロセスでは,膜は低いプラテン電力でサブナノメートル領域の極めて低いエッチ速度を見せた。AlN膜の除去は物理機構を通して起こる。そのため,膜はSFx+及びO+化学に不活性であるため,PEALD AlN膜除去においてrf電力とチェンバー圧力が最も重要なパラメータになる。このエッチ実験により,この膜は回復力があるマスキング材料であることを示した。これによって,これはスルーウエハエッチング,あるいは酸化膜が適切でないとき,必要なSF6系プラズマエッチ応用でのエッチマスクに使う魅力的な候補になる。(翻訳著者抄録)
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固体デバイス製造技術一般 

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