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J-GLOBAL ID：201202211443854639   整理番号：12A0495284

サブミクロン金属酸化物半導体電界効果トランジスタにおけるノイズ: 横電子密度分布及び活性トラップ位置

Noise in Submicron Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors: Lateral Electron Density Distribution and Active Trap Position

著者 (6件)： SEDLAKOVA Vlasta (Brno Univ. Technol., Brno, CZE) ,  SIKULA Josef (Brno Univ. Technol., Brno, CZE) ,  CHVATAL Milos (Brno Univ. Technol., Brno, CZE) ,  PAVELKA Jan (Brno Univ. Technol., Brno, CZE) ,  TACANO Munecazu (Meisei Univ., Tokyo, JPN) ,  TOITA Masato (Asahi Kasei Microsystems, Miyazaki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 2,Issue 1  ページ： 024105.1-024105.5  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 実験を,0.3μmスペーサレス相補性金属酸化物半導体技術において処理した,nチャネル素子について行った。ランダム電信信号測定を,一定のゲート電圧について行った。チャネルの中の電子濃度は,ソースからドレイン接触部へ減少すると仮定する。電場の横成分はチャネルの中で不均質であり,それはソースの近くで極小値を持ち,ドレイン電極の近くで最大値に達する。ドレイン電流は二つの成分-拡散及びドリフト成分-によって与えられる。拡散電流成分はx座標に独立であり,それは低電場についてドリフト電流成分に等しい。実験的に観測した横電場とトラップ位置への捕捉時定数依存性を説明する,モデルを与える。ドレイン電流への捕捉時定数τ_cの依存性から,トラップ位置の縦座標を計算することができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  サブミクロン加工 ,  *雑音 ,  密度分布 ,  電子密度 ,  捕獲中心 ,  位置 ,  N型半導体 ,  実験 ,  電圧 ,  ゲート【半導体】 ,  電場 ,  電流 ,  拡散 ,  ドリフト ,  モデル ,  ドレイン【半導体】
準シソーラス用語： トラップ【固体】 ,  ノイズ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (27件)：

• 1) M. J. Kirton and M. J. Uren: Adv. Phys. 38 (1989) 367.
• 2) M. Schulz: Microelectron. Eng. 40 (1998) 113.
• 3) A. Ohata and A. Toriumi: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 2473.
• 4) T. Fujisawa, K. Abe, S. Watabe, N. Miyamoto, A. Teramoto, S. Sugawa, and T. Ohmi: Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 04DC06.
• 5) T. Contaret, K. Romanjek, T. Boutchacha, G. Ghibaudo, and F. Bceuf: Solid-State Electron. 50 (2006) 63.

タイトルに関連する用語 (7件)： サブ ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  ノイズ ,  電子密度分布 ,  活性 ,  トラップ