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J-GLOBAL ID：201202211778395485   整理番号：12A0495299

有機金属化学蒸着により低温において成長した重度にZnをドープしたInAlGaAs層におけるIn組成の低減

Reduction of In Composition in Heavily Zn-Doped InAlGaAs Layers Grown at Low Temperature by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

著者 (4件)： YOKOYAMA Haruki (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  HOSHI Takuya (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  IDA Minoru (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 2,Issue 1  ページ： 025601.1-025601.4  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着(MOCVD)による,低温(560°C)における,重度にZnをドープしたInAlGaAsの成長を研究する。増加するジチル亜鉛(DEZn)流量と共に,格子定数は縮まり成長率は減少する。理由を明らかにするために,InAs,AlAs及びGaAs成分の成長率を検査する。AlAs及びGaAs成分の成長率はほとんど一定である;ただInAsのそれはDEZn流量が増加するとき劇的に減少する。これはInの組込みがDEZn供給によって抑制されることを示す。成長中のドーピング挙動は,表面吸着-捕獲モデルによって良くフィットし,それは成長表面上の過剰なZn原子が,InAs成分の低減を誘導することを示唆する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,  ヒ化アルミニウム ,  ヒ化ガリウム ,  *半導体材料 ,  *MOCVD ,  低温 ,  成長 ,  亜鉛 ,  ドーピング ,  インジウム ,  組成 ,  亜鉛化合物 ,  流量 ,  格子定数 ,  成長率

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (13件)：

• 1) Y. H. Wu, J. S. Su, W. C. Hsu, W. Lin, and W. C. Liu: Solid-State Electron. 38 (1995) 1755.
• 2) K. Takemasa, T. Munakata, M. Kobayashi, H. Wada, and T. Kamijoh: IEEE Photonics Technol. Lett. 10 (1998) 495.
• 3) S. Y. Hu, J. Ko, and L. A. Coldren: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 2347.
• 4) U. Gosele and F. Morehead: J. Appl. Phys. 52 (1981) 4617.
• 5) T. Lin, L. Jiang, X. Wei, G. H. Wang, G. Z. Zhang, and X. Y. Ma: J. Cryst. Growth 261 (2004) 490.

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属化学蒸着 ,  低温 ,  成長 ,  Zn ,  ドープ ,  InAlGaAs ,  組成