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J-GLOBAL ID：201202214517543745   整理番号：12A0911602

部分的に架橋した固体ポリカルボシランのインプリントにより精密化したSiCパターンを作製

Preparation of Refined SiC Patterns from Imprinting of Partially Cross-Linked Solid Polycarbosilane

著者 (6件)： ZHANG Kuibao (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  ZHANG Kuibao (Southwest Univ. Sci. and Technol., Mianyang, CHN) ,  FU Zhengyi (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  NAKAYAMA Tadachika (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  OKUMURA Masatoshi (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  NIIHARA Koichi (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 95  号： 5  ページ： 1530-1535  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 精密化したSiCパターンをポリカルボシラン(PCS)をSiC前駆体とし,Siモールドをマスター構造としてインプリントリソグラフィー法で作製した。PCSをステンレス鋼型により大気気流中200°C,30MPaで厚さ1mmに予備硬化後,パターンサイズ1~50μm,深さ10μmのSiモールドを用い,7.5MPa,250°Cで10分インプリントした。大気中での酸化処理は部分的架橋と可塑性をPCSに付与し,き裂の発生を効果的に抑制した。エンボス加工後,Ar気流中800~1300°Cで熱分解させた。800°Cまでで非晶質残さが生成し,1000~1200°Cでβ-SiCマイクロ結晶が核生成し,1300°Cで焼結し,精密化したパターンを持つSiCが得られた。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *パターン形成 ,  精密化 ,  架橋【高分子】 ,  *ポリカルボシラン ,  刷込 ,  *リソグラフィー ,  押付成形 ,  ケイ素 ,  型 ,  *エンボス加工 ,  *熱分解
準シソーラス用語： インプリンティング ,  インプリントリソグラフィー ,  シリコン ,  成形型

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の成形  (YH04090Q) ,  無機重合体  (YH07140R) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 架橋 ,  固体 ,  ポリカルボシラン ,  精密化 ,  SiC ,  作製