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J-GLOBAL ID：201202218660151160   整理番号：12A1737811

EUVマスクに関する新しい現像システム

New development system for EUV mask

著者 (9件)： TERAYAMA Masatoshi (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  SAKURAI Hideaki (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  SAKAI Mari (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  ITOH Masamitsu (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUNAKOSHI Hideo (Tokyo Electron Kyusyu Ltd., Kumamoto, JPN) ,  IWASAKA Hideaki (Tokyo Electron Kyusyu Ltd., Kumamoto, JPN) ,  IIZUKA Junko (Tokyo Electron Kyusyu Ltd., Kumamoto, JPN) ,  MARUYAMA Mitsuaki (Tokyo Electron Kyusyu Ltd., Kumamoto, JPN) ,  HAYASHI Naoya (Dai Nippon Printing Co., Ltd., Saitama, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8441  ページ： 844105.1-844105.7  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EUVマスクのために開発した新しい現像システム,第三世代PGSD,の考え方及びその性能を述べた。CD一様性改善のために,ノズルを開発し,現像溶液供給の一様性誤差を低減した。推定CD誤差は,3σの0.09nmで,EUVマスクの最終CD一様性は,3σの2.0nmであった。背面欠陥除去に関して,現像プロセスにおける背面汚染の防止を提案した。水滴残留を排除するために,現像直前の背面親水性化プロセスを提案した。粒子付着を排除するために,流れ制御マスクホルダーを開発した。4mmより大きな最終背面欠陥の数はゼロであった。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  *フォトマスク ,  *現像 ,  *近接効果 ,  ピッチ【機械要素】 ,  寸法精度 ,  均一性 ,  欠陥密度 ,  *吸込 ,  アルゴン化合物 ,  フッ化物 ,  *パターン形成 ,  開口数 ,  露光 ,  化学的加工 ,  親水性
準シソーラス用語： EUVリソグラフィー ,  EUVマスク ,  PGSD ,  ArF ,  液浸リソグラフィー ,  親水化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： EUVマスク ,  現像システム