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J-GLOBAL ID：201202222548276608   整理番号：12A1700716

地上条件下でのInGaSb合金半導体のバルク成長: ISSでの微小重力実験に向けた予備的研究

Bulk growth of InGaSb alloy semiconductor under terrestrial conditions: A Preliminary study for microgravity experiments at ISS

著者 (7件)： ARIVANANDHAN M. (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  RAJESH G. (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TANAKA A. (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  OZAWA T. (Shizuoka Inst. of Sci. and Technol., Shizuoka, JPN) ,  OKANO Y. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  INATOMI Y. (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  HAYAKAWA Y. (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Defect and Diffusion Forum  (Defect and Diffusion Forum)
巻： 323/325  ページ： 539-544  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0958B  ISSN： 1012-0386  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (9件)： 地上 ,  InGaSb ,  合金半導体 ,  バルク ,  成長 ,  ISS ,  微小 ,  重力実験 ,  予備的研究