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J-GLOBAL ID：201202223673288380   整理番号：12A0834542

Si(100)上の酸化セリウム薄膜の原子価数遷移とケイ酸塩形成

Valence number transition and silicate formation of cerium oxide films on Si(100)

著者 (12件)： MAMATRISHAT M. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  KOUDA M. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  KAKUSHIMA K. (Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  NOHIRA H. (TokyoCity Univ., 1-28-1 Tamazutsumi Setagaya-ku, Tokyo 158-8857, JPN) ,  AHMET P. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  KATAOKA Y. (Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  NISHIYAMA A. (Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  TSUTSUI K. (Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  SUGII N. (Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  NATORI K. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  HATTORI T. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  IWAI H. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 86  号： 10  ページ： 1513-1516  発行年： 2012年04月27日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)ウエハとCe酸化物層の間の界面反応をX線光電子分光によって特性記述した。Ce酸化物層内部でのCe³⁺状態におけるCe原子の比は堆積したままの試料での47%からアニール後には26%まで減少することを見出した。Ce原子の原子価数遷移の詳細な反応解析と界面でのSiO₂層の生成から,反応したCe³⁺原子は2:1の比でケイ酸塩とCe⁴⁺に変換されることが分かった。Ceケイ酸塩層のエネルギーバンドギャップは7.67eVと決定され,Si(100)ウエハに対する価電子帯オフセットは4.35eVとして抽出された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化セリウム ,  誘電体薄膜 ,  ウエハ【IC】 ,  *電子ビーム蒸着 ,  *不均一系反応 ,  X線光電子スペクトル ,  ケイ酸塩 ,  *バンドギャップ ,  相転移 ,  MOS構造
準シソーラス用語： 高k誘電体 ,  Siウエハ ,  *界面反応 ,  原子価遷移

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  酸化セリウム ,  薄膜 ,  原子価数 ,  遷移 ,  ケイ酸塩