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J-GLOBAL ID：201202226153105036   整理番号：12A1508022

サファイア基板上でのCr₂O₃薄膜の結晶成長の研究

Investigation of Crystal Growth of the Cr₂O₃ thin films on Sapphire Substrates

著者 (3件)： KURODA Takuji (Nihon Univ., Chiba, JPN) ,  IWATA Nobuyuki (Nihon Univ., Chiba, JPN) ,  YAMAMOTO Hiroshi (Nihon Univ., Chiba, JPN)
資料名： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Transactions of the Materials Research Society of Japan)
巻： 37  号： 3  ページ： 385-388  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： L4468A  ISSN： 1382-3469  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強磁性金属/r-配向反強磁性磁気電気(ME)Cr₂O₃多層の大きな交換バイアス場(H_EB)を得る目的から,ターゲットにCr金属を用い,O₂/Ar下,基板温度580~840°Cでマグネトロンスパッタリングにより,r-およびc-カットサファイア基板上に磁気電気Cr₂O₃薄膜を作製した。c-配向Cr₂O₃薄膜とr-配向Cr₂O₃では薄膜成長に差異が認められた。r-配向膜では,基板温度が増すと,合体化が進み,高さが大きいより大きな粒径となり,Raは直線的に増大した。一方,c-配向膜の表面は,原子的に平坦で,Ra値は,r-配向膜の約1/10であった。さらに,RSM(逆格子空間マッピング)の結果から,c-配向膜は,双晶結晶構造で成長するが,r-配向膜は,双晶なしで成長することが分った。

シソーラス用語： *酸化クロム ,  *磁性薄膜 ,  基板 ,  *サファイア ,  マグネトロンスパッタリング ,  *反応性スパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *結晶成長 ,  反強磁性 ,  磁気電気効果 ,  強磁性 ,  金属 ,  多層 ,  バイアス ,  *薄膜成長 ,  基板温度 ,  *表面粗さ ,  格子 ,  空間 ,  *双晶
準シソーラス用語： Ra【表面粗さ】 ,  RSM【逆格子】 ,  交換バイアス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

引用文献 (9件)：

• [1] W. H. Meiklejohn and C. P. Bean, Phys. Rev. 5 (1956) 1413-1414.
• [2] Ch. Binek, A. Hochstrat, and W. Kleemann, J. Magn. Magn. Mater. 234 (2001) 353-358.
• [3] X. He, Y. Wang, N. Wu, A. N. Caruso, E. Vescovo, K. D. Belashchenko, P. A. Dowben, and C. Binek, Nature Mater. 9 (2010) 579-585.
• [4] S.-H. Lim, M. Muraoka, S. E. Lofland, A. J. Zambano, L. G. S.-Riba, and I. Takeuchi, J. Magn. Magn. Mater. 321 (2009) 1955-1958.
• [5]T. Asada, K. Nagase, N. Iwata and H. Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 546-549.

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア基板 ,  Cr2O3 ,  薄膜 ,  結晶成長 ,  研究