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J-GLOBAL ID：201202231437586291   整理番号：12A1711873

指向性自己集合を用いた半導体及び誘電体材料のサブ30nmピッチライン-スペースパターニング

Sub-30 nm pitch line-space patterning of semiconductor and dielectric materials using directed self-assembly

著者 (12件)： TSAI Hsin-yu (IBM Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown, New York 10598) ,  MIYAZOE Hiroyuki (IBM Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown, New York 10598) ,  ENGELMANN Sebastian (IBM Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown, New York 10598) ,  TO Bang (IBM Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown, New York 10598) ,  SIKORSKI Ed (IBM Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown, New York 10598) ,  BUCCHIGNANO Jim (IBM Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown, New York 10598) ,  KLAUS Dave (IBM Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown, New York 10598) ,  LIU Chi-chun (IBM Almaden Res. Center, 650 Harry Road, San Jose, California 95120 and IBM Albany Nanotech, 257 Fuller Road, Suite ...) ,  CHENG Joy (IBM Almaden Res. Center, 650 Harry Road, San Jose, California 95120) ,  SANDERS Dan (IBM Almaden Res. Center, 650 Harry Road, San Jose, California 95120) ,  FULLER Nicholas (IBM Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown, New York 10598) ,  GUILLORN Michael (IBM Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown, New York 10598)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 6  ページ： 06F205-06F205-6  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体素子集積にとって重要な三つの材料,シリコン,窒化ケイ素,及び酸化ケイ素,中へのグラフォエピタクシーにより生成した29nmピッチ自己集合ライン-スペースポリスチレン-ポリ(メタクリル酸メチル)パターンのパターン転写を実証した。製造型反応炉による高忠実度プラズマエッチを,多層マスキング膜スタック及び反応炉条件の同時最適化を通して達成した。パターン転写中におけるラインエッジ粗さ(LER)及びライン幅粗さの系統的研究を述べた。ポストエッチアニーリングプロセスの応用は,約3nmから1.5nm以下までのシリコン特徴のLERの低下を示した。さらに,これらの結果は,指向性自己集合ベースパターンニングが,半導体素子製造にとって適切な技術であることを実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 型 ,  半導体材料 ,  誘電材料 ,  *ポリメタクリル酸メチル ,  *ポリスチレン ,  パターン転写 ,  プラズマエッチング ,  多層膜 ,  最適化 ,  表面粗さ ,  焼なまし ,  *パターン形成 ,  *自己集合 ,  エピタクシー ,  半導体プロセス ,  *ブロック共重合体
準シソーラス用語： グラフォエピタクシー ,  ラインエッジ粗さ ,  誘電体材料

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  共重合  (CG04030D) ,  高分子固体の構造と形態学  (CG02022M)

タイトルに関連する用語 (7件)： 指向性 ,  自己集合 ,  誘電体材料 ,  サブ ,  ピッチ ,  スペース ,  パターニング