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J-GLOBAL ID：201202234229314694   整理番号：12A1711876

電子ビームリソグラフィーを用いた大きな高さ変動をもつ非平面基板上での高分解能パターン形成

High resolution patterning on nonplanar substrates with large height variation using electron beam lithography

著者 (5件)： RAY Vishva (Lurie Nanofabrication Facility, Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Univ. of Michigan, Ann Arbor ...) ,  AIDA Yukinori (JEOL Ltd., 3-1-2 Musashino, Akishima-shi, Tokyo, Japan 196-8558) ,  FUNAKOSHI Ryo (JEOL USA, Inc., 11 Dearborn Road, Peabody, Massachusetts 01960) ,  KATO Hitoshi (JEOL Ltd., 3-1-2 Musashino, Akishima-shi, Tokyo, Japan 196-8558) ,  PANG Stella W. (Lurie Nanofabrication Facility, Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Univ. of Michigan, Ann Arbor ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 6  ページ： 06F303-06F303-7  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビームリソグラフィーを用いた,大きな高さ変動をもつ非極性基板上での高分解能パターン形成を報告した。自動高精度非接触レーザプローブ顕微鏡を用いて,パターン形成された非極性基板の三次元マップをはじめて得た。このデータを,電子ビームリソグラフィーシステムのフォーマットに変換し,マッピングデータに基づいて,電子ビーム焦点面を調整することにより,書込みを行った。このパターン形成スキームの概念実証として,一様及び一方向傾斜の傾斜Siウエハ,多方向傾斜として平凸レンズ,及びステップ高さ変動を有する深Siトレンチを含む,三つの異なる種類の非平面基板を用いた。パターン形成スキームを,分解能,場スティッチング精度,及び場配置精度に関してテストした。これらのテストの結果は,同一パターン形成条件をもつ平坦な基板に関して得た一般的な結果と非常に良く一致した。10mm傾斜をもつウエハに関して,50nm格子は,18%のライン幅変動,24.62nmの3σで1.06nmの場スティッチング誤差,及び31.92nmの3σ変動で20.53nmの場配置誤差を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *パターン形成 ,  *電子ビームリソグラフィー ,  高さ ,  変動 ,  三次元 ,  *傾斜機能材料 ,  シーム溶接 ,  光学顕微鏡 ,  *ウエハ【IC】 ,  トレンチカット【加工】 ,  ナノ構造 ,  精度 ,  ナノメータ加工
準シソーラス用語： レーザ顕微鏡 ,  *Siウエハ ,  位置決め精度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子ビームリソグラフィー ,  高さ変動 ,  高分解能 ,  パターン形成