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J-GLOBAL ID：201202234944179427   整理番号：12A1217051

フラーレン誘導体スピン-オン-炭素ハードマスクを用いた高アスペクト比エッチング

High aspect ratio etching using a fullerene derivative spin-on-carbon hardmask

著者 (4件)： FROMMHOLD A. (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  MANYAM J. (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  PALMER R. E. (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  ROBINSON A. P. G. (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8328  ページ： 83280U.1-83280U.11  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高アスペクト比エッチングを実現するため,高いエッチング耐久性を有するフラーレンに基づくスピン-オン-炭素(SoC)技術を開発した。非常に低いレベルの脂肪族炭化水素を含む二種類のSoC材料を用いた。スピン-オン-ハードマスクのエッチング耐性は低いが,フラーレン-ベースSoCは炭素含有量が大きいので高いエッチング耐久性を実現できた。また,誘導結合プラズマエッチングを用いて15:1を超える高アスペクト比のサブ50nm構造を構築できた。

シソーラス用語： *フラーレン ,  *アスペクト比 ,  *プラズマエッチング ,  誘導結合プラズマ ,  脂肪族炭化水素 ,  耐久性 ,  半導体プロセス ,  ナノメータ加工
準シソーラス用語： ハードマスク ,  フラーレン誘導体 ,  高アスペクト比 ,  炭素含有量

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： フラーレン誘導体 ,  スピン ,  炭素 ,  ハードマスク ,  高アスペクト比エッチング