文献

J-GLOBAL ID：201202235188185740   整理番号：12A1217050

誘導自己組織化に対して適切なドライエッチ技術の探索

Exploration of Suitable Dry Etch Technologies for Directed Self-Assembly

著者 (5件)： YAMASHITA Fumiko (Tokyo Electron Miyagi Ltd., Miyagi, JPN) ,  NISHIMURA Eiichi (Tokyo Electron Miyagi Ltd., Miyagi, JPN) ,  YATSUDA Koichi (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  MOCHIKI Hiromasa (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  BANNISTER Julie (Tokyo Electron America, Inc., TX, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8328  ページ： 83280T.1-83280T.9  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘導自己組織化(DSA)パターンのドライ現像に対する無線周波数とエッチング化学を調べた。VHFによる静電容量結合プラズマ(CCP)反応はブロック共重合体(BCP)エッチング後に優れたパターン現像を行い,VHF CCPのBCP高さ,及びラインエッジ粗さ/線幅粗さの喪失は最小であることがわかった。CCPの解離は低いので,BCPのエッチング速度を十分低く維持でき,ポリスチレンに対して良好な選択性を維持しながらポリメタクリル酸メチルを除去できた。

シソーラス用語： *自己組織化 ,  *ドライエッチング ,  *プラズマエッチング ,  現像 ,  VHF【周波数】 ,  ブロック共重合体 ,  ポリスチレン ,  ポリメタクリル酸メチル ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： イオンエネルギー分布 ,  ラインエッジ粗さ ,  線幅粗さ ,  選択エッチング ,  容量結合プラズマ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 誘導 ,  自己組織化 ,  エッチ ,  探索