Si(111)上の4μmを超える粒子サイズを持つBaSi<sub>2</sub>膜の分子ビームエピタクシー

BABA Masakazu; NAKAMURA Kotaro; DU Weijie; KHAN M. Ajmal; KOIKE Shintaro; TOKO Kaoru; USAMI Noritaka; USAMI Noritaka; SAITO Noriyuki; YOSHIZAWA Noriko; SUEMASU Takashi; SUEMASU Takashi

文献

J-GLOBAL ID：201202236489953847 整理番号：12A1440916

Si(111)上の4μmを超える粒子サイズを持つBaSi₂膜の分子ビームエピタクシー

Molecular Beam Epitaxy of BaSi₂ Films with Grain Size over 4μm on Si(111)

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著者 (12件)： , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 51 号： 9,Issue 1 ページ： 098003.1-098003.2 発行年： 2012年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

反応性蒸着エピタクシー(RDE)と分子線エピタキシー(MBE)を含む二段階成長法によりSi(111)基板上に,100nm厚さのBaSi₂エピタクシー膜を成長させた。Baの蒸着速度と持続時間を,それぞれ,RDE中0.25-1.0nm/分と,5-120分変化させた。平面透過型電子顕微鏡写真は,MBE成長BaSi₂の粒径は,RDE成長条件に著しく依存し,約0.2から4μm以上まで変化するのが示された。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜

引用文献 (15件)：

1) K. Morita, Y. Inomata, and T. Suemasu: Thin Solid Films 508 (2006) 363.
2) D. B. Migas, V. L. Shaposhnikov, and V. E. Borisenko: Phys. Status Solidi B 244 (2007) 2611.
3) K. Toh, T. Saito, and T. Suemasu: Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 068001.
4) W. Du, M. Suzuno, M. A. Khan, K. Toh, M. Baba, K. Nakamura, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu: Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 152114.
5) Y. Matsumoto, D. Tsukada, R. Sasaki, M. Takeishi, and T. Suemasu: Appl. Phys. Express 2 (2009) 021101.

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Si(111)上の4μmを超える粒子サイズを持つBaSi2膜の分子ビームエピタクシー

Si(111)上の4μmを超える粒子サイズを持つBaSi₂膜の分子ビームエピタクシー