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J-GLOBAL ID：201202236880026292   整理番号：12A0138204

3D集積のための低温ボンディング技術

Low temperature bonding technology for 3D integration

著者 (2件)： KO Cheng-ta (Dep. of Electronics Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  CHEN Kuan-neng (Dep. of Electronics Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 52  号： 2  ページ： 302-311  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3D集積は高い機能密度,小さなフォームファクタ,高度な伝送速度と低消費電力を有するシステムレベルインテグレーションを達成するための有力な解決案である。積層ボンディングは3D集積システムの異なった階層間の通信を可能にする主要技術である。集積化デバイスの性能劣化課題を解決するために低温ボンディング手法が工業的に探索されている。本論文では,世界中の企業や研究機関における最新の開発と同様に,様々な低温ボンディング技術をレビューおよび紹介してる。工業的な応用に向けての展望も述べた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 三次元 ,  ダイボンディング ,  *高密度実装 ,  半導体集積回路 ,  *フェースボンディング ,  技術展望 ,  *半導体チップ ,  半導体プロセス

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 3D ,  集積 ,  低温 ,  ボンディング