極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価

筒井一生; 金原潤; 宮田陽平; 野平博司; 泉雄大; 室隆桂之; 木下豊彦; AHMET Parhat; 角嶋邦之; 服部健雄; 岩井洋

文献

J-GLOBAL ID：201202237013215151 整理番号：12A1057337

極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価

Detection of Impurities Having Various Chemical Bonding States and their Depth Profiles in Ultra Shallow Junctions

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資料名：
巻： 112 号： 92(SDM2012 43-62) ページ： 69-74 発行年： 2012年06月14日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

Si基板表面にBドープおよびAsドープにより形成された極浅接合中に存在する複数の化学結合状態を持つ不純物の深さ方向濃度プロファイルを軟X線光電子分光法とサブnm単位の表面エッチング手法を組み合わせて求めた。ホール効果測定とも組み合わせ,電気的に活性化している不純物とその化学結合状態の対応を明らかにし,電気的に不活性な不純物がそれぞれの化学結合状態に対応する異なる不純物クラスターを形成していることを推測した。また,この評価手法をSiのFin構造に適用し,Fin構造の上面と側面での不純物の状態とそれぞれの濃度を分離して検出できることを示した。(著者抄録)

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トランジスタ , 金属-絶縁体-半導体構造

引用文献 (11件)：

SASAKI, Y. B_2H_6 Plasma Doping with "In-situ He Pre-amorphization". Symp. on VLSI Tech. Dig., Hawaii, USA, June, 2004. 2004, 180-181
SASAKI, Y. Conformal Doping for FinFETs and Precise Controllable Shallow Doping for Planar FET Manufacturing by a Novel B_2H_6/Helium Self-Regulatory Plasma Doping Process. IEDM Tech. Dig., USA, Dec. 2008. 2008, 917-920
TSUTSUI, K. Activated Boron and its Concentration Profiles in Heavily Doped Si Studied by Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy and Hall Measurements. J. of Appl. Phys. 2008, 104, 093709
武井優典. 極浅不純物深さ方向プロファイリングのためのオゾン酸化を用いたSiステップバイステップエッチングの不純物濃度依存性. 応用物理学会, 東京, March 2012. 2012
KANEHARA, J. Chemical Bonding States of As in Si Shallow Junctions Detected by Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy and their Profiles. 2011 Solid State Devices and Materials (SSDM), Aichi, Japan, Sept. 2011, 28-29

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