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J-GLOBAL ID:201202237324522902   整理番号:12A1756863

生物無機化Niナノ粒子を用いた金属誘起横方向結晶化による低エネルギー微小/ナノ電子機械システム用のSi薄膜の結晶度の向上

Improving Crystallinity of Thin Si Film for Low-Energy-Loss Micro-/Nano-Electromechanical Systems Devices by Metal-Induced Lateral Crystallization Using Biomineralized Ni Nanoparticles
著者 (13件):
資料名:
巻: 51  号: 11,Issue 2  ページ: 11PA03.1-11PA03.5  発行年: 2012年11月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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低エネルギー微小/ナノ電子機械システム(MEMS/NEMS)素子の観点からSi薄膜の特性を調べた。籠形蛋白質アポフェリチン内に順応したNiナノ粒子を用いた金属誘起横方向結晶化(MILC)を非晶質Si膜に適用して多結晶Si(ポリシリコン)膜を得た。MILCしたポリシリコン膜は50~60μmの結晶化分域を有したが,MILCしないポリシリコン膜の結晶粒は≦1μmであった。MILCしたポリシリコン膜の結晶化分域はほぼ同じ結晶方位を示したが,MILCしないものは不規則な結晶方位を示した。MILCしたポリシリコン膜の結晶化誘起引張応力は461MPaへ上昇した(MILC無しでは363MPa)。MILCしたポリシリコン膜を静電駆動MEMS共振器へ適用した。周波数応答では,共振周波数が高くなり,Q値は20%上昇した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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