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J-GLOBAL ID：201202239601722267   整理番号：12A0853535

Cr水溶液で洗ったSi(001)ウェハにおけるSchottky障壁から原子架橋型表面光起電への移行

Translation from Schottky Barrier to Atomic Bridging-Type Surface Photovoltages in Cr-Aqueous-Solution-Rinsed Si(001) Wafers

著者 (2件)： SHIMIZU Hirofumi (Nihon Univ., Fukushima, JPN) ,  SANADA Yuji (Nihon Univ., Fukushima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 5,Issue 1  ページ： 055702.1-055702.5  発行年： 2012年05月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型Si(001)ウェハにおけるCr(OH)₃/n-Si Schottky障壁型AC表面光電圧(SPV)は,室温での長い空気暴露そして(あるいは)100°Cでの短時間(10分)熱酸化中に消失する。これはSchottky障壁の崩壊を示している。100°Cで,n型Siウェハではより長い持続時間をもつAC SPVが再び出現し,以前に報告された原子架橋が形成されるので負の酸化物電荷が発生し,成長することを説明する。200°Cで,n型SiではAC SPVは強い反転状態に近づいた。対照的に,p型Si(001)ウェファーでは,100°CでAC SPVは酸化持続時間とともに減少した。200°Cで,p型SiにおいてAC SPVは完全に消滅した。この結果は,p型Siにおける正の固定された酸化物電荷がCr誘起の負電荷[CrOSi)^-あるいはCrO^2-ネットワーク]の成長によりなぜ補償されたかを説明する。この逆相互関係は,Schottky障壁から原子架橋AC SPVへの移行が起こる証拠を与えており,こうしてCr誘起負電荷が,以前に証明された(AlOSi))^-あるいは(FeOSi))^-ネットワークだけでなく,(CrOSi)^-および(あるいは)CrO^2-ネットワークとして記述されることを証明できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  基板 ,  ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  N型半導体 ,  水酸化物 ,  *クロム化合物 ,  *熱酸化 ,  *ネットワーク ,  光ポンピング ,  *光起電力 ,  X線光電子分光法

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (26件)：

• 1) H. C. Gatos and J. Lagowski: J. Vac. Sci. Technol. 10 (1973) 130.
• 2) R. S. Nakhmanson: Solid-State Electron. 18 (1975) 617.
• 3) E. Kamieniecki: J. Vac. Sci. Technol. 20 (1982) 811.
• 4) C. Munakata, S. Nishimatsu, N. Honma, and K. Yagi: Jpn. J. Appl. Phys. 23 (1984) 1451.
• 5) C. Munakata and S. Nishimatsu: Jpn. J. Appl. Phys. 25 (1986) 807.

タイトルに関連する用語 (8件)： Cr ,  水溶液 ,  Si ,  ウェハ ,  Schottky障壁 ,  原子 ,  架橋 ,  移行