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J-GLOBAL ID：201202241325181952   整理番号：12A0272840

半導体量子デバイスの多様な展開

Development of Various Semiconductor Quantum Devices

著者 (1件)： 勝山造 (住友電気工業)
資料名： SEIテクニカルレビュー  (住友電気)
号： 180  ページ： 20-27  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： F0314A  ISSN： 1343-4330  CODEN： SUDEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 住友電気工業(株)では,1960年代より化合物半導体材料の開発を開始し,1980年代よりそれらの材料技術を利用して,光通信用デバイスの開発,事業化に取り組んできた。その中で,量子井戸技術をデバイス開発における重要な基盤技術と位置付け,積極的に応用することで多くの高性能デバイスを開発,製品化した。本論文では,特に半導体光デバイスに焦点を絞り,1μmから10μmにわたる広い波長領域において,情報通信,ライフサイエンス,環境・安全安心分野で用いられるキーデバイスに本技術がどのように応用されているかについて述べた。

シソーラス用語： 量子井戸レーザ ,  半導体レーザ ,  赤外検出器 ,  *光学素子 ,  *光通信 ,  *量子井戸 ,  超格子 ,  量子カスケードレーザ
準シソーラス用語： カスケードレーザ ,  *半導体量子井戸

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (25件)：

• (1) L. Esaki et al.“Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors”, IBM Journal of Research and Development, vol. 14 No1 p61 (1970)
• (2) R. Dingle et al.“Electron Mobilities in Modulation-Doped Semiconductor Heterojunction Superlattices”, Appl. Phys. Lett. 33 p665 (1987)
• (3) T. Mimura et al.“A New Field-Effect Transistor with Selectively Doped GaAs/n-AlxGa1-xAs Heterojunctions“, Jpn. J. Appl. Phys. 19, L225 (1980)
• (4) L. L. Chang et al. “Resonant tunneling in semiconductor double barriers”, Appl. Phys. Lett. 24, p593 (1974)
• (5) J. P. van der Ziel, et al., “Laser oscillation from quantum states in very thin GaAs-AI0.2Ga0.8As multilayer structures”, Appl. Phys. Lett. 26, 463 (1975)

タイトルに関連する用語 (2件)： 量子デバイス ,  展開