AGOPIAN Paula G.D. について
Univ. Sao Paulo, Sao Paulo, BRA について
AGOPIAN Paula G.D. について
Centro Universitario da FEI, BRA について
MARTINO Joao A. について
Univ. Sao Paulo, Sao Paulo, BRA について
KOBAYASHI Daisuke について
Japan Aerospace Exploration Agency(JAXA), Sagamihara, JPN について
SIMOEN Eddy について
Imec, Leuven,BEL について
CLAEYS Cor について
Imec, Leuven,BEL について
CLAEYS Cor について
Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL について
IEEE Transactions on Nuclear Science について
MOSFET について
陽子照射 について
10-100MeV について
SOI構造 について
キャリア移動度 について
電流電圧特性 について
放射線効果 について
MuGFET について
nチャネルMOSFET について
pチャネルMOSFET について
ゲート電圧 について
ドレイン電流 について
引張歪 について
一軸応力 について
二軸引張 について
半導体の放射線による構造と物性の変化 について
トランジスタ について
標準 について
歪 について
チャネル について
MuGFET について
陽子照射 について