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J-GLOBAL ID:201202242957578978   整理番号:12A1092640

反応性単分子層による熱ナノインプリントリソグラフィー

Reactive-monolayer-assisted Thermal Nanoimprint Lithography
著者 (3件):
資料名:
巻: 25  号:ページ: 189-196  発行年: 2012年 
JST資料番号: L0202A  ISSN: 0914-9244  CODEN: JSTEEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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本論文は反応性単分子層を用いた熱ナノインプリントリソグラフィー(R-TNIL)によるパターン化された金属の薄膜を,熱可塑性のレジスト層を光化学的にグラフト化した層の援けを得て,単純なエッチング法を用いて基材上に調製した。金属上で光化学的に誘起されたグラフト反応で得られた光反応性単分子層は,レジスト層の熱による脱濡れを抑制し,金属箔層の横方向図柄の解像力を改良できる。金属像の線画の幅はサイドエッチングの調節によって調整可能である。レジスト層の増加された接着力は走査型プローブ顕微鏡による観察で横力曲線を測定して明らかにされた。実際的な応用法として,透明な導電性の金属メッシュを持った基材はR-TNIL法によって製造された。また,電着を含んだR-TNILによって,制御されたアスペクト比の金属パターンを調製できる。反応性単分子層はミクロン以下の金属薄膜像を調製するために重要な役割を果たしている。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
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