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J-GLOBAL ID：201202243755784254   整理番号：12A0868482

HVPE成長した(0001)GaN厚膜におけるピット型欠陥の成長と消滅とに関する断面CL研究

Cross sectional CL study of the growth and annihilation of pit type defects in HVPE grown (0001) thick GaN

著者 (10件)： LEE W. (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, JPN) ,  LEE W. (Graduated School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Tsukuba 305-0005, JPN) ,  LEE H.j. (PAN-Xal Co., Suwon 443-380, KOR) ,  PARK S.h. (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, JPN) ,  WATANABE K. (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, JPN) ,  KUMAGAI K. (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, JPN) ,  YAO T. (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8578, JPN) ,  CHANG J.h. (Dep. of Nano Semiconductor Engineering, Korea Maritime Univ., Pusan 606-791, KOR) ,  SEKIGUCHI T. (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, JPN) ,  SEKIGUCHI T. (Graduated School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Tsukuba 305-0005, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 351  号： 1  ページ： 83-87  発行年： 2012年07月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HVPE成長GaN厚膜におけるピット形欠陥の成長と消滅の機構を,断面カソードルミネセンス(CL)法を用いて研究した。それらの形態について,{10-11}ファセットに囲まれた六角形のV形ピットと,底部がとがっていない{10-11}ファセットを有するU形ピットとの,2種類のピット形欠陥を識別することができた。(0001)面と{10-11}ファセットの間で成長速度が異なることが原因で,V形ピットは広がるが,{10-12}ファセットの成長,すなわち,U形ピットの発現によって,V形ピットが消滅することが分かった。U形ピットの形成は,ピット形欠陥の消滅に重要な役割を果たしている可能性があると結論した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *窒化ガリウム ,  エピタクシー ,  *エッチピット ,  ファセット ,  成長速度 ,  陰極線ルミネセンス ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： HVPE【薄膜成長】 ,  ファセット形成

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： HVPE ,  成長 ,  GaN ,  厚膜 ,  ピット ,  欠陥 ,  Cl ,  研究