文献

J-GLOBAL ID：201202244302556850   整理番号：12A1756813

サブ20nm金属酸化物半導体電界効果トランジスタの飽和ドレイン電流へのソース-ドレイン直列抵抗の高次効果

Higher-Order Effect of Source-Drain Series Resistance on Saturation Drain Current in Sub-20nm Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

著者 (3件)： YOON JongChul (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  HIROKI Akira (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  KOBAYASHI Kazutoshi (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 11,Issue 1  ページ： 111101.1-111101.5  発行年： 2012年11月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直列抵抗の高次効果を含む飽和ドレイン電流をサブ20nm金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で研究した。抵抗による電流減少を,誘導解析電流モデルを用いて計算した。結果として,減少率は,ゲート長が32から18nmに減少するに従って15.8から24.0%に増加した。全ての絶対次項の合計に対するN次項の比を計算した。ゲート長が減少すると,高次項の効果は,直列抵抗の影響を解析するために重要になる。高次抵抗効果の標準化拡張成分を減少率と比較して,減少増大の物理的理由を決定した。チャネル抵抗に対するソース抵抗の比がサブ20nm MOSFETの素子設計と開発において支配的要因であることを見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *電流 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  電気抵抗 ,  解析モデル ,  比率 ,  長さ ,  チャネル ,  設計
準シソーラス用語： ゲート長 ,  ドレイン電流 ,  *金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ ,  減少率 ,  素子設計 ,  直列抵抗 ,  *飽和電流

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (32件)：

• 1) C. H. Wann, K. Noda, T. Tanaka, M. Yoshida, and C. Hu: IEEE Trans. Electron Devices 43 (1996) 1742.
• 2) H.-S. P. Wong: IBM J. Res. Dev. 46 (2002) 133.
• 3) Y. Mii,S. Rishton, Y. Taur, D. Kern, T. Lii, K. Lee, K. A. Jenkins, D. Quinlan, T. Brown,Jr., D. Danner, F. Sewell, and M. Polcari: IEEE Electron Device Lett. 15 (1994) 28.
• 4) S.-D. Kim, C.-M. Park, and J. C. S. Woo: IEDM Tech. Dig., 2000, p. 723.
• 5) S.-D. Kim, C.-M. Park, and J. C. S. Woo: IEEE Trans. Electron Devices 49 (2002) 467.

タイトルに関連する用語 (8件)： サブ ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  飽和 ,  ドレイン電流 ,  ソース ,  ドレイン ,  直列抵抗