MUROTANI Hideaki について
Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yamaguchi Univ., 2-16-1 Tokiwadai, Ube, Yamaguchi 755-8611, JPN について
AKASE Daiki について
Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yamaguchi Univ., 2-16-1 Tokiwadai, Ube, Yamaguchi 755-8611, JPN について
ANAI Koji について
Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yamaguchi Univ., 2-16-1 Tokiwadai, Ube, Yamaguchi 755-8611, JPN について
YAMADA Yoichi について
Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yamaguchi Univ., 2-16-1 Tokiwadai, Ube, Yamaguchi 755-8611, JPN について
MIYAKE Hideto について
Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ., 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, JPN について
HIRAMATSU Kazumasa について
Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ., 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, JPN について
Applied Physics Letters について
アルミニウム化合物 について
ガリウム化合物 について
窒化物 について
化合物半導体 について
ヘテロ接合 について
量子井戸 について
量子効率 について
ドーピング について
ケイ素 について
光ルミネセンス について
欠陥密度 について
点欠陥 について
濃度依存性 について
紫外発光スペクトル について
窒化ガリウムアルミニウム について
内部量子効率 について
半導体のルミネセンス について
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について
高濃度 について
Al について
AlGaN について
量子井戸 について
内部量子効率 について
ドーピング について
Si について
依存性 について