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J-GLOBAL ID：201202249139876100   整理番号：12A1081021

高濃度のAlを含むAlGaNから成る量子井戸における内部量子効率のドーピング領域およびSi濃度に対する依存性

Dependence of internal quantum efficiency on doping region and Si concentration in Al-rich AlGaN quantum wells

著者 (6件)： MUROTANI Hideaki (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yamaguchi Univ., 2-16-1 Tokiwadai, Ube, Yamaguchi 755-8611, JPN) ,  AKASE Daiki (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yamaguchi Univ., 2-16-1 Tokiwadai, Ube, Yamaguchi 755-8611, JPN) ,  ANAI Koji (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yamaguchi Univ., 2-16-1 Tokiwadai, Ube, Yamaguchi 755-8611, JPN) ,  YAMADA Yoichi (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yamaguchi Univ., 2-16-1 Tokiwadai, Ube, Yamaguchi 755-8611, JPN) ,  MIYAKE Hideto (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ., 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, JPN) ,  HIRAMATSU Kazumasa (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ., 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 4  ページ： 042110-042110-4  発行年： 2012年07月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiのドープされたAlGaNから成る量子井戸の内部量子効率(IQE)を光ルミネセンス分光法によって研究した。ドーピング領域の関数として求めたIQEの解析から,井戸層にドーピングを行うと,IQEは19%から40%に増大することが分かった。この増大は,井戸と障壁層の間の界面の品質改善と点欠陥密度の低下に起因する。更に,井戸層のSi濃度の増加に伴って,IQEは最大50%まで増大し,その後は減少することが分かった。この結果は,IQEの改善に関して最適なSi濃度が存在することを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *量子井戸 ,  量子効率 ,  ドーピング ,  ケイ素 ,  *光ルミネセンス ,  欠陥密度 ,  点欠陥 ,  濃度依存性 ,  紫外発光スペクトル
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム ,  内部量子効率

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高濃度 ,  Al ,  AlGaN ,  量子井戸 ,  内部量子効率 ,  ドーピング ,  Si ,  依存性