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J-GLOBAL ID：201202249330691854   整理番号：12A1486572

ステップフロー型研磨法によるGaN基板の平坦化加工と除去速度増加の検討

著者 (6件)： 浅野博弥 (大阪大 大学院工学研究科) ,  定国峻 (大阪大 大学院工学研究科) ,  佐野泰久 (大阪大 大学院工学研究科) ,  八木圭太 (荏原製作所) ,  松山智至 (大阪大 大学院工学研究科) ,  山内和人 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2012  号： 秋季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.F20  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 窒化ガリウムは省エネルギーパワーデバイス用半導体基板材料として注目されているが,その高硬度・化学的安定性のため高能率・高精度な研磨技術が未確立である。我々は触媒定盤表面を基準面とする新しい化学研磨技術によって原子レベルの平坦化加工を行っている。本報ではステップフローで進行する除去加工において,紫外光を用いてテラス上に新たに加工起点を形成することで加工速度の向上に成功した結果について述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： 基板 ,  *窒化ガリウム ,  *半導体材料 ,  *化学研磨 ,  表面仕上 ,  加工速度 ,  化学機械研磨
準シソーラス用語： 化学的機械的平坦化 ,  除去速度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： フロー ,  研磨 ,  GaN ,  平坦化加工 ,  除去速度